2.2.2失效分析的一些原則與方法
失效分析的基點或起點可以是一個Bobbin、一塊PCB板，也可以是一個完整的2X8PortsBelStack或OSIHIDGEN4最終產品。但制定分析程式的原則與方法可以大致相同。
一些通用的原則如下：
1.先方案後操作
失效分析人員先靜下心，考慮出分析方案再動手。如果上來就碰這捌那地撬開ICM的MetalShield與分離內部的ToroidBase與ContactPinBlock，或一拿到環氧樹脂封裝的DelayLine就鉗開封裝而用放大鏡觀察內部結構。徒勞的結果也許尚可容忍，但造成產品原始失效狀態的破壞從而導致誤判或者引入新的失效導致更大的失效(故障)則後患無窮。
2.先安檢後通電
失效分析人員應先做外觀檢查和機械量度，再進行普通電性能測量(例如用萬用表低阻擋測量Open/Short與DCR，或直接在生產線進行)，在至少排除明顯的外部短路點後，再開始加電測試（如用高阻計測量IR或用耐壓測試機測量產品耐壓值）。
3.先弱電後強電
4.先靜態後動態
先做靜態、穩態、直流下的檢測，後做動態、過渡狀態（如高溫）下的檢測。
5.先外部後內部
先外部檢測，後內部檢測；先驗證外部疑點，後驗證內部疑點。避免隨意啟封、拆裝。
6.先宏觀後微觀
先做功能檢測，後做精度測量。先做成品單元檢測，後做一個針腳、
一個Port、一根線、一個Core或其他最小單元元件的單獨檢測。
7.先一般後特殊
先做經常故障部位檢測，後做很少出現故障部位檢測。
8.先簡單後複雜
列出全部故障部位疑點後，先做簡單的容易實現的檢測。例如，先檢測各針腳間直流電阻，再做X射線照相或拆開封裝觀察內部狀況。
9.先主要後次要
主要次要由故障影響功能的程度決定。
10.先無損後破壞
先做無損性檢測（如X光照相），後做破壞性檢測(如：去掉固封膠解剖產品等)。
11.先現象後本質
許多失效特徵只表示有特定涵義的失效現象。如引線在磁環內斷開，
一般情況下，可以得出外力作用斷線的結論。但還沒有找出導致外力來源的原因，更無法提出防止同一現象的再發生的有效措施。應進一步分析是否使用工具不當或磁環R位刮傷。這樣，才能為防止同一失效的再發生提出有效措施。
一些通用的方法如下：
①.相關性方法
就是把失效模式（如OPEN、SHORT、針腳斷等），失效特徵，額定工作條件，材質情況，製造工藝水平和製造過程，使用情況等，都放進一個分析系統中，從總體上加以考慮的一種思路方法。以此判斷失效原因與設計、選材、製造、使用、環境等方面的原因。由此進一步深入地測試分析，找出真正的失效原因。本方法要盡可能地搜集與全局性有關的資料和測試資訊，從而合理地確定測試分析範圍。
②.抓關鍵問題的方法
一個產品的失效，往往是由一個關鍵元件失效引起。例如，一個DelayLine無輸入，可能是線棒斷線（電感Open）。開路的原因未見進一步說明，但主要原因一般也只有一、兩個，或漆皮線本質問題；或偶然的外力或應力集中造成斷線。因此，這種分析方法，首先是找准引起失效的部件。這是第一個關鍵問題，第二個關鍵問題，就是在主失效件上找出
根源，再找出失效原因。
③.對比的方法
