最近有个产品上的一个QFN芯片通过一些分析手段，发现在QFN的die上有个位置有hot spot的不良（就像包裹一团什么东西在上面似的）导致附近的信号脚短路现象发生。我们判断应该是由于ESD或者EOS导致的，因为那一团东西（我们赞叫做hot spot)很像之前发生的ESD/EOS现象。现在的问题是如何判断ESD还是EOS? 另外ESD/EOS会导致短路吗？通常不是击穿后应该是开路吗，怎么会短路呢？
有关QFN ESD/EOS的问题
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来源：中国可靠性网 原文链接：https://bbs.kekaoxing.com/45168.html
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die、chip的ESD大多数情形是击穿其中的绝缘介质膜层，电性失效表征为leakage，部分chip的ESD会导致金线熔断。
而EOS的电能量一般比ESD大很多，die区域可能大面积烧毁，金线熔断或金线熔断后掉至die区域造成对应区域的线路短路。