4/22上海场 先进制程TEM材料分析研讨会
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先进制程的开发是否到位，材料的结构与元素分析能力往往是关键，尤其当制程进入28纳米以下世代，纳米元件尺寸不断微缩，各端连接线结构极为细致，在此细微结构下，往往会因材料表面与微结构的污染或缺陷，使得其物性、电性及化性起变化，干扰原先产品的设计与特性。
然而许多传统分析方法，并不能有效的解决先进制程材料所带来的失效问题。此时可达原子级解析度、且兼具化学成分分析功能的穿透式电子显微镜(TEM)，将是分析上的唯一解決方案。
TEM除了可应用在半导体先进制程材料分析外，在LED产业亦扮演重要角色。决定LED发光特性最关键的磊晶制程，就必须高度仰赖TEM来控制制程参数。然而TEM的原理及操作模式相当复杂，分析时往往令非本行业出身的人员感到头痛，透过本次研讨会专家的解说，期望让与会来宾与业界精英能从中学习到：
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如何更加正确地理解TEM原理，解读TEM数据?
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如何更加有效地利用TEM/STEM分析，来解决材料或制程上的问题？
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时 间
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內 容
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主讲人
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13:00-13:30
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报 到
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13:30-14:40
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TEM基本原理介紹
TEM基本功能介绍与数据解读
TEM主要应用模式介绍
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iST宜特科技 材料分析工程部经理
陈聲宇 博士
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14:40-15:00
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中场休息
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15:00-16:10
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新颖TEM应用与案例解析
先进半导体制程与结构分析
三五族半导体(LED,砷化镓)分析
逆向工程分析
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iST宜特科技 材料分析工程部经理
陈聲宇 博士
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16:10-16:30
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Q&A
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讲师简介
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陈聲宇 博士
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现任职：
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iST宜特科技 材料分析工程部经理
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经历：
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毕业于国立清华大学，曾任职于台积电(TSMC)研究发展处，现为宜特科技材料分析工程部经理，从事TEM相关研究超过7年，论文发表遍及《ACS nano》及《Nano letter》等知名国际期刊。
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报名信息
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参加对象：
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半导体厂RD/PE/FA/QA人员、IC设计公司FA或逆向工程人员、LED磊晶或模组厂人员
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研讨会地点：
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上海博雅酒店（上海市浦东新区碧波路699号）
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参加费用：
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即日起额满为止，欲报从速。(一间公司限2名，报名成功确认以主办单位回复为主) |
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注意事项
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主办单位保留报名资格之最后审核权利，并于活动前一周以E-mail寄发「课前通知」，以示您的参加资格。请于活动开始前进行报到。
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未能准时报到或当天无法出席的学员，恕无法为您保留讲义与座位。
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若因不可预测的突发因素，主办单位保留变更论坛时间、议程内容及相关事项之权利。
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现场报名的学员，主办单位视现场状况保有开放进场与否之权利。
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