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    • 可靠性测试_节选

      早期失效率计算
       目的: ELFR ( Early Life Failure Rate)早期失效测试,主要反映出产品在最初投入使用的几个月时
      间内产品的质量情况,评估产品及设计的稳定性,加速缺陷失效率,去除由于先天原因失效的
      产品。

      名称 条件 测试时间 具体操作 失效原理
      ELFR
      (早期失
      效测试)
      测试 TJ温度控制在 125 度,
      被测产品上电,且为最大工
      作电压(比额定工作电压高
      5%—10%),芯片的引脚按
      照应用的状态进行搭接。
      48 h<t<168 h
      (最有效的参
      考时间是 168h)
      在规定条件下执行完
      测试,最好在 12 小时
      内进行电气测试(最
      大 延 时 在 24 小 时
      内),判断样本失效
      数量。
      材料或工艺的缺
      陷包括诸如氧化
      层缺陷,金属刻
      镀,离子玷污等由
      于生产造成的失
      效。

      表 7 早期失效测试
       抽样标准: 早期失效测试的样本需从最少三组不连续的产品批次中抽取,并由具有品质代表性
      的样本组成。所有样本应在同一地点用同样的流程进行组装和收集。在 60%的可信度时,以百
      万分之一的失效(FPM)为单位, 下图说明了想要达到不同的早期失效率目标的最小样本数量。

      可靠性测试_节选

      4.4 基本测试项目

      Stress Ref. Abbv. Conditions # Lots/SS per lot Duration/Accept
      High Temperature Operating
      Life 高温工作寿命
      JESD22-A108,
      JESD85
      HTOL TJ>=125C
      Vcc>=Vcc max
      3 Lots/77 units 1000 hrs/ 0 Fail
      Early Life Failure Rate
      早期失效率
      JESD22-A108
      JESD74
      ELFR TJ>=125C
      Vcc>=Vcc max
      参考 4.3 节 ELFR 168 hrs
      Low Temperature Operating
      Life 低温工作寿命
      JESD22-A108 LTOL TJ<=50C
      Vcc>=Vcc max
      1 Lot/32 units 1000 hrs/0 Fail
      High Temperature Storage Life
      高温存储寿命
      JESD22-A103 HTSL TA >=150C 3 Lots/25 units 1000 hrs/0 Fail
      Latch-Up JESD78 LU Class I
      Or Class II
      1 Lot/3 units 0 Fail
      Electrical Parameter
      Assessment 电气参数
      JESD86 ED Datasheet 3 Lots/10 units TA per datasheet
      Human Body Model ESD JS-001 ESD-HBM TA = 25 ° C 3 units Classification
      Charged Device Model ESD JESD22-C101 ESD-CDM TA = 25 ° C 3 units Classification
      Accelerated Soft Error Testing JESD89-2
      JESD89-3
      ASER TA = 25 ° C 3 units Classification
      “OR ” System Soft Error
      Testing
      JESD89-1 SSER TA = 25 ° C Minimum of 1E+06
      Device Hrs or 10
      fails.
      Classification

      表 8 基本测试项目
      4.5 NVM 产品需增加的测试项目

      Stress Ref. Abbv. Conditions # Lots/SS per lot Duration/Accept
      Uncycled High Temperature Data
      retention 高温数据存储测试
      JESD22-A117 UCHTDR TA>125° C
      Vcc>=Vcc max
      3 lots /77 units 1000 h/0fail
      Cycling Endurance 循环耐力 JESD22-A117 NVCE 25° C和 55°
      C <=TJ<=85°
      C
      3 lots /77 units Up to Spec. Max
      Cycles per note (b)
      / 0Fails
      Postcycling High Temperature data
      Retention 循环后高温数据存储
      测试
      JESD22-A117 PCHTDR 参照 4.5 3 lots /39 units 参照 4.5
      LowTemperature Retention and
      read disturb 低温保存和读取干扰
      JESD22-A117 LTDR TA=25° C 3 lots /78 units 参照 4.5

      表 9 NVM 增加测试项目
      PCHTDR 和 LTDR 是 NVCE 之后的测试项。因此, PCHTDR 和 LTDR 的测试条件是受 NVCE 影响的。
      例: 产品 A NVCE 循环 10K 次,预期 10K 次循环=2 年=17520h。
      55 度到 85 度每天循环 1k 次,每天工作 14 小时,空闲 10 小时( PCHTDR 测试),一共工作 10 天。
      预计 140 小时损失寿命 3652(计算规范参照 JESD22-117),剩余寿命为 17520—3652=13868.
      10 天的 100h 中需要 PCHTDR 设置为 100 度,才能有效验证产品可靠性。

      4.6 空气密闭封装产品增加的测试项目
      气密性与非气密性的区别
       气密封装: 高等级集成电路和分立器件通常采用气密封装,多采用金属、 陶瓷、玻璃封装,充
      有高纯氮气或其它惰性气体,也含有少量其它气体,一般应用于军工和航天领域。
       非气密封装: 工业级和商业级器件通常采用塑封工艺,芯片是被聚合材料整个包裹住,属于非
      气密封装。

      测试项 条件 参照标准 目的 合格标准 可靠标准
      1 TC(高低温循环测试) -55 度—125 度
      升温降温速率 20oC/min
      JESD22-A104 Ic 产品各处不同物质的热膨
      胀系数不同,可能会因偏压状
      态下高温变形引发故障。
      700 次循环 3 lots /38 units
      2 SD(可焊性测试) 蒸汽老化 8 分钟
      侵入 245 度的锡盆中 5 秒
      JESD22-B102 器件中需要焊接的缝隙的可
      靠性
      0 错误 3 lots /22 units
      3 WSR 锡须验收 参照 JESD201 JESD22-A121 用于测试锡( Sn)或锡合金表
      面光洁度时使用。
      参 见
      JESD201
      参见 JESD201
      4 MS(机械冲击) Y1 平面, 5 脉冲, 0.5ms
      持续时间, 1500 g 峰值加
      速度
      JESD22-B104 目的是确定在正常和极限温
      度下,当产品受到一系列冲击
      时,各性能是否失效以考核器
      件的结构稳定性。
      性能正常
      测 试 完 之
      后测 AC
      3 lots /39 units
      5 VVF(振动变频测试) 20Hz 至 2kHz (对数变换)
      超过 4 分钟,峰值变换加
      速度为 50g
      JESD22-B103 测试产品在寿命周期中,是否
      能承受运输或使用过程的振
      动环境的考验
      性能正常
      测 试 完 之
      后测 CA
      6 CA(恒定加速度) 30 kg 力<40 针封装, 20kg
      为 40 针。
      M2001
      7 GFL 泄露测试 专用仪器 JESD22-A109 气密性是否良好 有无泄露
      8 IWVC 内部水汽 专用仪器 MIL-STD 883 封装腔体中水蒸汽含量分析 有 无 水 蒸
      9 SBS 锡球剪切力 专用仪器 JESD22-B117

      表 10 空气密闭封装增加的测试项
      4.7 非空气密闭封装产品增加的测试项目

      Stress Ref. Abbv. Conditions # Lots/SS per lot Duration/Accept
      MSL Preconditioning 预处理 JESD22-A113 PC Perappropriate
      MSL level per
      J-STD-020
      JESD22-A113 ElectricalTest(optional)
      Temperature2 Humidity bias 加速
      式温湿度及偏压测试
      JESD22-A101 THB 85 °C, 85 % RH,
      Vcc>=Vcc max
      3 Lots /25 units 1000 hrs / 0 Fail
      Temperature2, 3 Humidity Bias
      ( Highly Accelerated Temperature
      and Humidity Stress) 高加速温湿
      度及偏压测试
      JESD22-A110 HAST 130°C / 110 °C,
      85 % RH,
      Vcc>=Vcc max
      3 Lots /25 units 96 hrs / 0 Fail
      Temperature Cycling 高低温循环
      测试)
      JESD22-A104 TC 参照 4.7 TC 3 Lots /25 units 参照 4.7 TC
      Unbiased Temperature/Humidity 高
      加速温湿度测试
      JESD22-A118 UHAST 130 °C / 85% RH
      110 °C / 85% RH
      3 Lots /25 units 96 hrs / 0 Fail
      Solderability 可焊性 M2003JESD22
      -B102
      SD Characterization 3 lots /22 leads 0 Fail
      Tin Whisker Acceptance 锡须验收 JESD22-A121
      Through rqmts of
      JESD201
      WSR Characterization
      per JESD201
      参照 JESD201 参照 JESD201

      表 11 非空气密闭封装产品增加的测试项

      北京
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    • 林莉宝清树八月鲸鱼胡剑无尽的沙漏怒放天空我心自然168

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      BillKangLv.2
      谢谢你
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      学习了
    • 1
      可焊性应该是蒸汽老化8hrs±15min,表格写错了
    • 0
      宝清Lv.4VIP2任务达人
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      Lv.2任务达人
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      Mr.这个Lv.1
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      醉一尘Lv.1
      感谢感谢感谢
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      多谢多谢
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      多谢多谢。
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