请问看论文很多都在讲如何提高GaAs的击穿电压 ，但是很少有人提过如何提高抗ESD的能力，是因为后者可以用前者来进行表征是吗？
器件击穿电压与ESD HBM关系？
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来源：中国可靠性网 原文链接：https://bbs.kekaoxing.com/90425.html
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以HBM为例，假设我的器件击穿电压从200V提高到500V，那么器件的HBM耐受电压是否能够正相关提高呢？
坐等大神回复。