功率器件热结构缺陷分析二

C－SAN （声学扫描）、X－RAY 分析应用（二）

               —功率器件热结构缺陷分析

         编写：李少平

塑料封装功率器件热结构缺陷分析应用案例

上节以介绍了金属封装功率器件热结构缺陷分析的应用。本节以大功率

VDMOS 场效应管为例，介绍C－SAN、X－RAY 在塑料封装功率器件中的应用。

失效过程：样品在整机例行试验中，在高温负荷试验时，发现整机异常，故

障整机经检查，发现该样品失效。失效样品1只、良品3只。

C－SAN 观察可见，失效样品均存在不同程度的烧结空洞，见图2。图中呈

现黄色的方形为芯片，黄色的方形范围中的红色部分属于烧结空洞。

从芯片烧结空洞的总面积上看，失效样品的芯片烧结空洞总面积未超过国军

标规定的50％，但连续或贯穿空洞面积已经超过国军标规定的10％。显然，失

效样品芯片烧结不满足国军标的要求。