一、标准体系的变更
新版标准把晶体硅IEC 61215和薄膜IEC 61646的两个标准糅合在一起，变成了IEC61215系列标准，采用一个总的测试要求（IEC61215-1）和一个总的测试程序（IEC 61215-2），而对不同类型的组件，则采用特殊要求加以说明（IEC61215-1-X）,是的，以后就没有IEC61646啦。
二、型式试验流程的变更
三、测试要求的变更
1.铭牌与文件要求
铭牌在原有标准基础上增加了如下要求：
1）防护等级
2）开路电压（含公差）
3）短路电流（含公差）
4）输出功率（含公差）
3）修改了主要目视缺陷判据
从老标准的5条增加到11条，对目视能发现的缺陷进行了补充和完善，基本上涵盖了目前能发现的所有对组件性能有影响的缺陷。但是很遗憾，该标准没有把EL图像中的缺陷作为组件性能的判定依据，可能虽然EL图很重要，但其判定很复杂，争议也比较大吧。
四、部分测试项目的增加和变更
对于光伏IEC的标准，一般涉及到小的变更或修订会以CTL决议来及时公布，对于标准系统性的变更或修订则会采用换版的方式。
1.CTL决议涉及到的变更 2.其他重要变更
本次标准对NMOT、热斑试验等多个项目进行了较大的变更，标准方法得到了很好的完善，其中涉及到的重要变更有：测试项目,测试方法主要变化,测试设备变化,MQT04,NMOT测量
1.样品安装角度从45°变为（37±5）°
2.将老版标准中测试时组件开路的状态更改为组件接负载（在功率点运行）。
3.详细的测试流程按IEC61853-2执行
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